-
1 base-emitter voltage
Engineering: BEVУниверсальный русско-английский словарь > base-emitter voltage
-
2 напряжение между эмиттером и базой
Engineering: emitter-to-base voltageУниверсальный русско-английский словарь > напряжение между эмиттером и базой
-
3 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
4 напряжение эмиттерного перехода
Microelectronics: emitter-base voltageУниверсальный русско-английский словарь > напряжение эмиттерного перехода
-
5 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
6 плавающее напряжение эмиттер-база
плавающее напряжение эмиттер-база
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UЭБпл
UEBfl
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
9. Плавающее напряжение эмиттер-база
E. Floating emitter-base voltage
F. Tension flottante émetteur-base
UЭБпл
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плавающее напряжение эмиттер-база
-
7 пробивное напряжение эмиттер-база
пробивное напряжение эмиттер-база
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю.
Обозначение
UЭБОпроб
U(BR)EBO
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
11. Пробивное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung
E. Breakdown emitter-base voltage
F. Tension de claquage émetteur-base
UЭБОпроб
Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база
-
8 плавающее напряжение эмиттер-база
плавающее напряжение эмиттер-база
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю.
Обозначение
UЭБпл
UEBfl
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
FR
9. Плавающее напряжение эмиттер-база
E. Floating emitter-base voltage
F. Tension flottante émetteur-base
UЭБпл
Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > плавающее напряжение эмиттер-база
-
9 постоянное напряжение эмиттер-база
- emitter-base (d.с.) voltage
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение эмиттер-база
-
10 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
- Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
- Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
11 постоянное напряжение эмиттер-база
постоянное напряжение эмиттер-база
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы.
Обозначение
UЭБ
UEB
Примечание
При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБО, UEBO.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- emitter-base (d.с.) voltage
DE
FR
57. Постоянное напряжение эмиттер-база
D. Emitter-Basis-Spannung
E. Emitter-base (d.с.) voltage
F. Tension continue émetteur-base
U1ЭБ
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > постоянное напряжение эмиттер-база
-
12 напряжение база - эмиттер
напряжение база - эмиттер
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение база - эмиттер
-
13 напряжение база-эмиттер
Русско-английский словарь по электронике > напряжение база-эмиттер
-
14 напряжение база-эмиттер
Русско-английский словарь по радиоэлектронике > напряжение база-эмиттер
-
15 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
16 максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
17 напряжение насыщения база-эмиттер
напряжение насыщения база-эмиттер
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора.
Обозначение
UБЭнас
UBEsat
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
8. Напряжение насыщения база-эмиттер
D. Basis-Emitter-Sättigungsspannung
E. Saturation baseemitter voltage
F. Tension de saturation base-émetteur
UБЭнас
Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > напряжение насыщения база-эмиттер
-
18 максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
19 пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage emetteur-base de
pbototransistor
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
-
20 максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
-
Обозначение
UЭБ max
UEB max
Примечание
Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
- maximum emitter-base (d.c.) voltage
DE
FR
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
D. Maximal zulässige Emitter-Basis-Gleichspannung
E. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
F. Tension continue émetteur-base maximale
IЭБ max
-
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база
- 1
- 2
См. также в других словарях:
Emitter-coupled logic — Motorola ECL 10,000 basic gate circuit diagram[1] In electronics, emitter coupled logic (ECL), is a logic family that achieves high speed by using an overdriven BJT differential amplifier with single ended input, whose emitter current is limited… … Wikipedia
Voltage-to-current converter — Introduction For a variety of reasons, in low voltage electronics, voltage is a more frequently used data carrier. Thus electronic devices tend to be labeled with voltage inputs and outputs. However some devices are labeled in terms of current… … Wikipedia
Voltage regulator — A popular three pin 12 V DC voltage regulator IC. A voltage regulator is an electrical regulator designed to automatically maintain a constant voltage level. A voltage regulator may be a simple feed forward design or may include negative feedback … Wikipedia
Voltage stabilizer — Unreferenced|date=July 2008A voltage stabilizer is an electronic device able to deliver relatively constant output voltage while input voltage and load current changes over time. The output voltage is usually regulated using a transistor. In a… … Wikipedia
Voltage divider — In electronics, a voltage divider (also known as a potential divider) is a simple linear circuit that produces an output voltage ( V out) that is a fraction of its input voltage ( V in). Voltage division refers to the partitioning of a voltage… … Wikipedia
Common emitter — Figure 1: Basic NPN common emitter circuit (neglecting biasing details). In electronics, a common emitter amplifier is one of three basic single stage bipolar junction transistor (BJT) amplifier topologies, typically used as a voltage amplifier.… … Wikipedia
Current-to-voltage converter — In electronics, a transimpedance amplifier is an amplifier that converts current to voltage. Its input ideally has zero impedance, and the input signal is a current. Its output may have low impedance, or in high frequency applications, may be… … Wikipedia
Common base — Figure 1: Basic NPN common base circuit (neglecting biasing details). In electronics, a common base (also known as grounded base) amplifier is one of three basic single stage bipolar junction transistor (BJT) amplifier topologies, typically used… … Wikipedia
Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP … Wikipedia
Bipolar transistor biasing — Bipolar transistor amplifiers must be properly biased to operate correctly. In circuits made with individual devices (discrete circuits), biasing networks consisting of resistors are commonly employed. Much more elaborate biasing arrangements are … Wikipedia
Differential amplifier — symbol The inverting and non inverting inputs are distinguished by − and + symbols (respectively) placed in the amplifier triangle. Vs+ and Vs− are the power supply voltages; they are often omitted from the diagram for simplicity, but of course… … Wikipedia